技術(shù)文章
TECHNICAL ARTICLES有了MDPingot和MDPmap系列,就可以全自動(dòng)地測量磚塊和硅片中的鐵濃度,而且分辨率非常高。鐵硼對(duì)解離前后的壽命測量是一種**使用的測定硅片中鐵的方法。在高摻雜濃度的摻硼硅中,因?yàn)樗挥糜诠夥鼞?yīng)用,幾乎100%的電活性鐵以FeB對(duì)的形式存在。在有足夠能量的光照下,這些鐵對(duì)可以在Fe和B中解離。這個(gè)過程是可逆的,在一段時(shí)間后,所有的FeB對(duì)都會(huì)再次結(jié)合。FeB和Fei有不同的重組特性,因此解離對(duì)測量的壽命有影響。在這種影響下,鐵的濃度可以通過以下方式確定:
對(duì)于鐵的測定,使用了一個(gè)校準(zhǔn)系數(shù)C,它取決于注入、摻雜濃度和陷阱濃度,這在多晶硅中必須加以考慮。通過MDP,可以對(duì)多晶硅和單晶硅進(jìn)行高分辨率的鐵濃度測定,并且由于模擬和多年的研究,還具有很高的精度。
照明前的壽命圖和產(chǎn)生的鐵圖
關(guān)于鐵的測定和校準(zhǔn)系數(shù)的依賴性的更多信息,請(qǐng)閱讀:
[1] S. Rein and S. W. Glunz, Journal of Applied Physics 98 (2005).
[2] N.Schüler, T.Hahn, K. Dornich, J.R. Niklas, Solid State phenomena to be published
陷阱濃度測定的工具
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