高分辨率 X 射線衍射 (HRXRD) 是一種強(qiáng)大的無損檢測方法，其研究對象主要是單晶材料、單晶外延薄膜材料以及各種低維半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)。普遍用于單晶質(zhì)量、外延薄膜的厚度、組分、晶胞參數(shù)、缺陷、失配、弛豫、應(yīng)力等結(jié)構(gòu)參數(shù)的測試?，F(xiàn)代HRXRD與常規(guī)XRD的區(qū)別主要體現(xiàn)在：（1）高度平行且高度單色的高質(zhì)量X射線；（2）不僅要測試倒易格點(diǎn)的位置（角度），還要測試倒易格點(diǎn)的形狀（缺陷）；（3）更高的理論要求-動力學(xué)理論。GaN做第三代半導(dǎo)體，目前用于電力電子、高頻器件和發(fā)光二極管 (LED) 技術(shù)等眾多應(yīng)用中。本報(bào)告介紹了HRXRD在GaN LED樣品中的應(yīng)用。樣品由 6 層InGaN/GaN 量子阱 (QW) 組成，虛擬 GaN 襯底上生長在 2 英寸藍(lán)寶石晶片上。文中樣品測試是在德國布魯克D8 ADVANCE X射線衍射儀上完成的，該儀器配置了HRXRD模塊。

2theta/omega掃描

2theta/omega掃描用于探測平行于表面的原子層的相干散射，可用于確定In的組分，面外晶胞參數(shù)、厚度等參數(shù)。

測試采用Ge（004）單色器，林克斯探測器0D模式。圖 1 顯示了 GaN (0002) 晶面的 2theta/omega 掃描圖譜，可見明顯的超晶格蕩峰以及超晶格峰之間的薄膜干涉條紋。

圖 1 GaN (0002) 晶面的 2theta/omega掃描圖譜。

倒空間強(qiáng)度分布（RSM）

RSM是直觀的分析薄膜與襯底失配關(guān)系以及薄膜缺陷的方法。傳統(tǒng)的HRXRD上收集一張RSM需要幾個甚至幾十個小時?，F(xiàn)實(shí)中往往由于機(jī)時的限制，很難得到RSM?，F(xiàn)代HRXRD利用1D探測器可以極大提高了測試速度，快采集一張RSM只需要幾十秒。圖2中，展示了GaN （11-24）晶面的RSM，測試時間為30min。 

圖2 GaN(11-24) 晶面的倒空間強(qiáng)度分布圖（RSM）

圖2中，RSM 中所有倒格點(diǎn)在面內(nèi)（（110）方向）方向在同一位置，表明量子阱多層膜InGaN是在 GaN 襯底上共格晶生長的。 這與GaN (0002) 晶面高質(zhì)量2theta/omega掃描一致。同時，RSM中GaN倒格點(diǎn)形沿著面內(nèi)展寬，說明界面處缺陷較多。而每個超晶格倒格點(diǎn)無明顯展寬，說明超晶格之間缺陷較少。 

2theta/omega 圖譜擬合結(jié)果 

圖3 GaN (0002) 2theta/omega掃描擬合圖譜。藍(lán)色：擬合值；黑色：測試值。

圖3中是 基于表1中的結(jié)構(gòu)模型，對2theta/omega掃面進(jìn)行全譜擬合的結(jié)果。可見擬合圖譜與測試數(shù)據(jù)吻合非常好。超晶格峰與擬合值之間的微小偏差可能是由采用的擬合模型未考慮In組分的變化。InGaN 層中的超晶格厚度和In含量都可以非常精確地確定。In的含量是生長過程中的一個重要參數(shù)。 因此，HRXRD 是監(jiān)控沉積過程的有力工具。

表1 GaN (0002) 2theta/omega掃描擬合模型及結(jié)果